МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА” ДОСЛІДЖНЕННЯ СХЕМИ ОБМЕЖУВАЧІВ АМПЛІТУДИ НА ДІОДАХ І КРЕМНІЄВИХ СТАБІЛІТРОНАХ. ІНСТРУКЦІЯ до лабораторної роботи №2 з курсу "ЕЛЕМЕНТИ ДИСКРЕТНИХ ПРИСТРОЇВ АВТОМАТИКИ" для студентів спеціальності 7.0914.02 "Комп’ютеризовані системи управління і автоматики" усіх форм навчання Затверджено на засіданні кафедри "Автоматика і телемеханіка" Протокол № від Львів-2000 Дослідження обмежувача амплітуди на діодах і кремнієвих стабілітронах з курсу "Елементи дискретних пристроїв автоматики" для студентів спеціальності “Комп’ютеризовані системи управління і автоматики” усіх форм навчання / Укл. В.Б.Дудикевич, В.М.Максимович, О.С.Вітер. - Львів: ДУЛП, 2000. - с. Укладачі: В.Б.Дудикевич, докт. техн. наук, проф.,В.М.Максимович, канд. техн. наук, доц.,О.С.Вітер, ст. викл. Відповідальний за випуск: І.М.Ковела, к.т.н., доц. Рецензенти: З.Р.Мичуда , З.М.Стрілецький кандидати техн. наук, доценти МЕТА РОБОТИ Метою роботи є ознайомлення з практичними схемами схеми обмежувачів амплітуди на діодах і кремнієвих стабілітронах ,а також вивчення роботи обмежувачів і вплив параметрів схем на форму обмеженої напруги. ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП Обмежувачем називається схема , напруга на виході якої повторює форму вхідної напруги до певного значення Eобм ,який називається рівнем,обме- ження після якого вихідна напруга не залежить від вхідної напруги і залишається постійною. В пристроях імпульсної техніки обмежувачі застосовуються в схемах форму- вання напруги імпульсів майже прямокутної форми із синусоїдної напруги, селекції імпульсів по амплітуді і полярності , обмеження максимального значення амплітуди імпульсів, для отримання пікоподібних або прямокутних імпульсів малої тривалості із пікоподібних імпульсів великої тривалості. Принцип роботи діодних обмежувачів заснований на використанні власти- востей односторонньої провідності діодів.В залежності від схеми включення і режиму , в якому застосовують напівпровідниковий прилад або електронну лампу , розрізняють три види обмеження: Обмеження зверху , при якому вихідна напруга залишається постійною після наростання вхідної напруги понад поріг обмеження (рис. 1а). б) Обмеження знизу , при якому вихідна напруга залишається постійною після зменшення вхідної напруги нижче порогу обмеження (рис. 1б). в) Двостороннє , при якому обмеження відбувається зверху і знизу (рис.1в). Послідовний діодний обмежувач. На рис.2а,б приведені схеми послідовного обмежувача зверху і знизу.Під час додатнього півперіоду вхідної напруги діод відкритий і його внутрішній опір при цьому малий.Опір навантаження Rн вибирається в межах Rн>>Rд.пр Тому всі вхідні напруги виділяються на опорі Rн майже повністю, повторю- ючи форму вхідної напруги. Uвих=Um

=
так як
<<1 , то Uвих(Um При від’ємній півхвилі синусоїдної напруги діод закривається , і розмах від’ємної півхвилі буде рівний Uвих(=
=
так як
>>1 , то Uвих-<<Um В багатьох випадках величину опору навантаження можна визначити як середнє геометричне між Rд.пр. i Rд.об. : Rн=Rд.пр
. = Rд.пр
, де К=
К(104 ( 105 При роботі на високих частотах або з імпульсами , які мають крутий фронт , слід враховувати вплив паразитних ємностей схеми .До них відносяться прохідна ємність Спрох і вихідна ємність, яка складається з ємностей навантаження Сн і монтажу См , Сп= См + Сн .Особливо сильний вплив паразитних ємностей проявляється при закритому діоді, коли його опір є великий , тобто уторюється інтегруюча ланка з опором Rд.об. і ємності Сn . Тому зріз імпульса спотворюється більше , коли діод закритий. Якщо задана допустима тривалість зрізу вихідного імпульсу tc. , то обчислене попере...